Les chercheurs ont publié un article décrivant les avancées qui ouvriront la voie à la production de masse d'UltraRAM, une nouvelle technologie de mémoire prometteuse.
Rédigé par des scientifiques de l'Université de Lancaster au Royaume-Uni, le rapport décrit l'UltraRAM comme "une mémoire non volatile avec le potentiel de réaliser un stockage d'électrons rapide et à très faible énergie".
UltraRAM combine la non-volatilité de la mémoire de stockage de données traditionnelle avec la vitesse et l'endurance de la RAM, ce qui signifie qu'elle pourrait être déployée en tant que mémoire universelle à l'avenir.
Grande avancée de l'UltraRAM
Comme le rapporte notre publication sœur Tom's Hardware, il y a eu un certain nombre de tentatives au fil des ans pour développer une technologie de mémoire qui élimine le besoin d'une RAM et d'un stockage de données séparés.
Ni la RAM résistive, ni la RAM magnétorésistive, ni la mémoire à changement de phase n'ont tenu leurs promesses. Et la mémoire Optane d'Intel, une solution vaguement comparable, a également été retirée des PC grand public l'année dernière.
Cependant, les premiers signes sont prometteurs pour UltraRAM en termes de performances. Le rapport affirme que la technologie de la mémoire offre des durées de stockage des données d'au moins 1000 XNUMX ans et "un ordre de grandeur inférieur à la puissance de commutation que la DRAM et la mémoire flash".
"Une mémoire rapide et non volatile, avec une résistance élevée et un changement d'état logique à faible énergie, c'est-à-dire une mémoire dite universelle, a longtemps été rejetée comme irréalisable en raison des propriétés physiques apparemment contradictoires qu'un tel dispositif nécessiterait. . », précise le journal.
"Des progrès significatifs ont été réalisés, avec l'émergence de produits de mémoire dans une production commerciale à petite et grande échelle, mais, comme pour les mémoires conventionnelles, l'équilibre entre la stabilité de l'état logique et la puissance de commutation demeure." UltraRAM brise ce paradigme en exploitant les barrières de puits quantique (QW) InAs et AlSb pour créer une structure à effet tunnel résonant à triple barrière (TBRT).
La technologie est ésotérique, mais cela signifie que la possibilité de combiner les attributs de la RAM et de la mémoire de stockage pourrait avoir des avantages en termes de performances dans une variété de cas d'utilisation, des serveurs et des PC aux consoles, aux jeux, etc.
Les auteurs de l'article déclarent que des travaux sont déjà en cours pour affiner davantage le processus de fabrication et apporter d'autres améliorations, ce qui, espérons-le, augmentera la probabilité qu'UltraRAM puisse entrer sur le marché de manière compétitive, conduisant à une adoption rapide et généralisée.